Fabricating tunable semiconductor devices with an atomic force microscope

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.11004

Held, R. ; Lüscher, S. ; Heinzel, Thomas ; Ensslin, K. ; Wegscheider, Werner

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Nov 2009 13:06

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Zusammenfassung

We fabricated quantum wires of different geometries in Ga[Al]As heterostructures by local oxidation of the semiconductor surface with an atomic force microscope. By magnetotransport measurements at low temperatures on these wires the electronic width is determined and compared to the geometrical width. An extremely small lateral depletion length of the order of 15 nm and a high specularity of the ...