Investigation of Spin Pairing in a Semiconductor Quantum Dot

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.11176

Lüscher, S. ; Heinzel, Thomas ; Ensslin, Klaus ; Wegscheider, Werner ; Bichler, Max

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 30 Nov 2009 13:45

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Zusammenfassung

Semiconductor quantum dots have been patterned into a Ga[Al]As heterostructure by local oxidation of the GaAs cap layer with an Atomic Force Microscope. The combination of high electron density and reduced shape deformation allows us to observe spin pairs in the dot's energy level spectrum, which is demonstrated via correlated parametric evolution of the Coulomb blockade resonances in ...