Two-dimensional electron-gas actuation and transduction for GaAs nanoelectromechanical systems

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.11317

Tang, H. X. ; Huang, M. H. ; Roukes, M. L. ; Bichler, Max ; Wegscheider, Werner

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Dez 2009 13:22

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We have fabricated doubly clamped beams from GaAs/AlGaAs quantum-well heterostructures containing a high-mobility two-dimensional electron gas (2DEG). Applying an rf drive to in-plane side gates excites the beam's mechanical resonance through a dipole-dipole mechanism. Sensitive high-frequency displacement transduction is achieved by measuring the ac emf developed across the 2DEG in the presence ...

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