Carbon-doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 106 cm2/V s

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.11965

Gerl, Christian ; Tranitz, Hans-Peter

; Wegscheider, Werner ; Mitzkus, Christian ;

PDF
(131kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Jan 2010 13:36

Alternative Links zum Volltext:DOI

Details

Indiziert in

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Utilizing a carbon filament doping source, we prepared two-dimensional hole gases in a symmetric quantum-well structure in the GaAs/AlGaAs heterosystem. Low-temperature hole mobilities up to 1.2x10(6) cm(2)/V s at a density of 2.3x10(11) cm(-2) were achieved on GaAs (001) substrates. In contrast to electron systems, the hole mobility sensitively depends on variations of the quantum-well width and ...

Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloadstatistik

Altmetric

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Details

Indiziert in

Bibliographische Daten exportieren

Zusammenfassung

Zusammenfassung

Downloadstatistik

Downloads

Alternative Statistik (altmetrics)

Weitere Literatur (mittels CORE)

Universitätsbibliothek