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Few-electron quantum dot fabricated with layered scanning force microscope lithography

Sigrist, Martin, Gustavsson, S., Ihn, Thomas, Ensslin, Klaus, Driscoll, D., Gossard, A. C., Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2006) Few-electron quantum dot fabricated with layered scanning force microscope lithography. Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 32 (1-2), S. 5-8.

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Zusammenfassung

Few-electron quantum dots with integrated charge read-out have been fabricated by layered local anodic oxidation of a Ga[Al]As heterostructure and a thin Titanium top gate. The additional set of gates provided by the metallic film is used to tune the quantum dots into the few-electron regime. Current through the quantum dots and the quantum dot charge have been simultaneously measured for ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physe.2005.12.128DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.23.Hk; 73.63.Kv; 73.21.LaPACS
Stichwörter / Keywords:Few-electron quantum dot; Layered lithography; Scanning force microscope
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:12
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:24
Dokumenten-ID:12185
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