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TMR- und TAMR-Effekt an (Ga,Mn)As und GaAs Tunnelstrukturen

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-13597
Brinkmeier, Eva
Date of publication of this fulltext: 23 Sep 2009 14:10


Abstract (German)

In dieser Arbeit wurden GaAs beziehungsweise (Ga,Mn)As basierte Tunnelstrukturen hinsichtlich des Tunnelmagnetowiderstand (TMR) und anisotropen Tunnelmagnetowiderstand (TAMR) Effekts untersucht. Dabei wird das Hauptaugenmerk auf den relativ neu entdeckten TAMR-Effekt gelegt, welcher eine Abhängigkeit des Tunnelwiderstands von der Orientierung der Magnetisierungsrichtung beschreibt. Tunnelkontakte ...

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Translation of the abstract (English)

This thesis is concerned with the experimental investigation of the tunnel magnetoresistance (TMR) and tunnel anistropic magnetoresistance (TAMR) in GaAs and (Ga,Mn)As tunnel junction. A special emphasis was put on the study of the newly discovered TAMR effect, which consists in the variation of the TMR with the magnetization�s angle. The tunnel junctions were fabricated by means of optical ...

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