URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-124932
Ciorga, Mariusz, Schlapps, Markus, Einwanger, Andreas, Geißler, Stefan, Sadowski, Janusz, Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2007) TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures. New Journal of Physics 9, S. 351.
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Zusammenfassung
We discuss the results of our experiments on tunnel devices based on (Ga,Mn)As structures. Those include p+-(Ga, Mn)As/n+-GaAs Esaki diodes and laterally defined narrow nanoconstrictions in (Ga,Mn)As epilayers. We found in those structures strong anisotropic magnetoresistance behaviour with features that could be attributed to the novel tunnelling anisotropic magnetoresistance effect. We argue ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 28 September 2007 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Eingebracht am: | 25 Jan 2010 13:55 | ||||
| Zuletzt geändert: | 03 Jun 2018 20:01 | ||||
| Dokumenten-ID: | 12493 |
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