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Khannanov, M. N. ; Kukushkin, I. V. ; Gubarev, S. I. ; Smet, J. H. ; Klitzing, Klaus von ; Wegscheider, Werner ; Gerl, Christian

Hole-density dependence of the cyclotron mass of 2D holes in a GaAs(001) quantum well

Khannanov, M. N., Kukushkin, I. V., Gubarev, S. I., Smet, J. H., Klitzing, Klaus von, Wegscheider, Werner und Gerl, Christian (2007) Hole-density dependence of the cyclotron mass of 2D holes in a GaAs(001) quantum well. JETP Letters 85 (5), S. 242-245.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jan 2010 13:57
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.12497


Zusammenfassung

The dependence of the heavy-hole cyclotron mass in GaAs(001) quantum wells on the 2D-hole density has been measured by the optical detection method for resonance microwave by-absorption. A significant increase (almost doubling) has been observed in the cyclotron mass of heavy holes with an increase in the charge carrier density from 1.2 x 10(10) cm(-2) to 1.3 x 10(11) cm(-2).



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftJETP Letters
Verlag:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER
Ort der Veröffentlichung:NEW YORK
Band:85
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:5
Seitenbereich:S. 242-245
DatumMai 2007
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1134/S0021364007050050DOI
Klassifikation
NotationArt
71.35.Cc, 78.66.FdPACS
Stichwörter / KeywordsELECTRON-GAS; RESONANCE; SEMICONDUCTORS; GAAS;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetUnbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
Dokumenten-ID12497

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