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Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.12508
Rossler, C. ; Bichler, Max ; Schuh, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Ludwig, S.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jan 2010 14:03


Zusammenfassung

Free-standing beams containing a two-dimensional electron system are shaped from a GaAs/ AlGaAs heterostructure. Quantum point contacts and ( double) quantum dots are laterally defined using metal top gates. We investigate the electronic properties of these nanostructures by transport spectroscopy. Tunable localized electron states in freely suspended nanostructures are a promising tool to investigate the electron-phonon interaction.


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