Wurstbauer, Ursula, Sperl, Matthias, Soda, Marcello, Neumaier, Daniel, Schuh, Dieter, Bayreuther, Günther, Zweck, Josef und Wegscheider, Werner
(2008)
Ferromagnetic GaMnAs grown on (110) faced GaAs.
Applied Physics Letters 92 (10), S. 102506.
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Zusammenfassung
Thin Ga0.94Mn0.06As layers have been grown by low temperature molecular beam epitaxy on (110) GaAs substrates and on [110] and [−110] oriented GaAs cleaved edges. The Curie temperatures TC for the as-grown samples ranges from 46 to 80 K. After annealing at low temperatures TC increases up to 115 K. In addition, magnetic anisotropies determined by superconducting quantum interference device magnetometry and magnetotransport measurements are reported.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel |
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| Datum: | 11 März 2008 |
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| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider |
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| Identifikationsnummer: | | Wert | Typ |
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| 10.1063/1.2884683 | DOI |
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| Verwandte URLs: | |
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| Klassifikation: | | Notation | Art |
|---|
| 81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.55.ag; 75.50.Pp; 75.50.Dd; 73.61.Ey | PACS |
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| Stichwörter / Keywords: | annealing, Curie temperature, ferromagnetic materials, gallium arsenide, galvanomagnetic effects, III-V semiconductors, magnetic anisotropy, magnetic epitaxial layers, manganese compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, semimagnetic semiconductors |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
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| Status: | Veröffentlicht |
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| Begutachtet: | Unbekannt / Keine Angabe |
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| An der Universität Regensburg entstanden: | Unbekannt / Keine Angabe |
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| Eingebracht am: | 01 Feb 2010 13:07 |
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| Zuletzt geändert: | 03 Jun 2018 19:42 |
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| Dokumenten-ID: | 12636 |
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