Ferromagnetic GaMnAs grown on (110) faced GaAs

Wurstbauer, Ursula, Sperl, Matthias, Soda, Marcello, Neumaier, Daniel, Schuh, Dieter, Bayreuther, Günther, Zweck, Josef und Wegscheider, Werner (2008) Ferromagnetic GaMnAs grown on (110) faced GaAs. Applied Physics Letters 92 (10), S. 102506.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 01 Feb 2010 13:07

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Zusammenfassung

Thin Ga0.94Mn0.06As layers have been grown by low temperature molecular beam epitaxy on (110) GaAs substrates and on [110] and [−110] oriented GaAs cleaved edges. The Curie temperatures TC for the as-grown samples ranges from 46 to 80 K. After annealing at low temperatures TC increases up to 115 K. In addition, magnetic anisotropies determined by superconducting quantum interference device magnetometry and magnetotransport measurements are reported.

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Dokumentenart:

Artikel

Datum:

11 März 2008

Institutionen:

Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider

Identifikationsnummer:

Wert	Typ
10.1063/1.2884683	DOI

Verwandte URLs:

URL	URL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/102506/1	Verlag

Klassifikation:

Notation	Art
81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.55.ag; 75.50.Pp; 75.50.Dd; 73.61.Ey	PACS

Stichwörter / Keywords:

annealing, Curie temperature, ferromagnetic materials, gallium arsenide, galvanomagnetic effects, III-V semiconductors, magnetic anisotropy, magnetic epitaxial layers, manganese compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, semimagnetic semiconductors

Dewey-Dezimal-Klassifikation:

500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik

Status:

Veröffentlicht

Begutachtet:

Unbekannt / Keine Angabe

An der Universität Regensburg entstanden:

Unbekannt / Keine Angabe

Dokumenten-ID:

12636

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