Perel', V., Tarasenko, S., Yassievich, I., Ganichev, Sergey, Belkov, Vassilij und Prettl, Wilhelm (2003) Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier. Physical Review B 67 (20), S. 201304.
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Andere URL zum Volltext: http://prola.aps.org/abstract/PRB/v67/i20/e201304
Zusammenfassung
The problem of electron tunneling through a symmetric semiconductor barrier based on zinc-blende-structure material is studied. The k3 Dresselhaus terms in the effective Hamiltonian of bulk semiconductor of the barrier are shown to result in a dependence of the tunneling transmission on the spin orientation. The difference of the transmission probabilities for opposite spin orientations can achieve several percents for the reasonable width of the barriers.
Bibliographische Daten exportieren
Dokumentenart: | Artikel | ||||
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Datum: | Mai 2003 | ||||
Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
Projekte: | Graduiertenkolleg Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht | ||||
Identifikationsnummer: |
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Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
Status: | Veröffentlicht | ||||
Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
Eingebracht am: | 20 Mrz 2007 | ||||
Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:17 | ||||
Dokumenten-ID: | 1624 |