Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs
Artikel
Gerl, Christian, Schmult, S., Tranitz, H., Mitzkus, C. und Wegscheider, Werner (2005) Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs. Applied Physics Letters 86, S. 252105.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band | 86 | ||||
| Seitenbereich | S. 252105 | ||||
| Datum | 2005 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 05 Aug 2009 13:30 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Verwandte URLs |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 1627 |
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