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Fractional quantum Hall effect in CdTe

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-165201

Piot, B.A., Kunc, J., Potemski, M., Maude, D.K., Betthausen, Christian, Vogl, Anton, Weiss, Dieter, Karczewski, G. und Wojtowicz, T. (2010) Fractional quantum Hall effect in CdTe. Physical Review B (PRB) 82 (8), 081307-1.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.82.081307


Zusammenfassung

The fractional quantum Hall (FQH) effect is reported in a high mobility CdTe quantum well at millikelvin temperatures. Fully developed FQH states are observed at filling factor 4/3 and 5/3 and are found to be both spin-polarized ground state for which the lowest energy excitation is not a spin flip. This can be accounted for by the relatively high intrinsic Zeeman energy in this single valley ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:12 August 2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.82.081307DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.43.Qt, 73.40.Lq, 73.43.LpPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:08 Sep 2010 08:16
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:27
Dokumenten-ID:16520
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