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Interband excitation induced absorption by deep impurities in GaP

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-175000
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.17500
Moser, K. ; Baumgartner, R. ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2010 12:14


Zusammenfassung

Transient optical absorption at energies below the band gap in GaP crystals following pulsed interband excitation was observed. The additional absorption attained its maximum about 25 μsec after the excitation pulse and lasted about 100 μsec. The spectral dependence of the rise time and decay time of the absorption and that of the induced optical cross section were determined. The results suggest ...

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