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Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

Vierheilig, Clemens (2011) Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 15, PhD, Universität Regensburg.

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Date of publication of this fulltext: 04 Jan 2011 08:14

Abstract (German)

Blau emittierende Leuchtdioden, die auf dem Materialsystem InGaN basieren, bilden in Kombination mit einem gelb emittierenden Konversionsfarbstoff die Grundlage für weiße LEDs. Diese erobern inzwischen viele Bereiche des täglichen Lebens, wie zum Beispiel Displaybeleuchtung, Automobilscheinwerfer oder Allgemeinbeleuchtung. In dieser Arbeit werden die mikroskopischen, optischen und elektrischen ...

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Translation of the abstract (English)

Blue light emitting emitting diodes based on the material system InGaN together with yellow emitting phosphors form the basis of white LEDs. These emitters are found in wide areas of our daily life, e.g. display illumination, automotive lighting or general lighting. In this thesis, the microscopic optical and electrical properties of a blue emitting LED test structure are analysed. Based on ...

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Item type:Thesis of the University of Regensburg (PhD)
Series of the University of Regensburg:Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Date:4 January 2011
Referee:Prof. Dr. Ulrich T. Schwarz
Date of exam:25 October 2010
Institutions:Physics > Institute of Experimental and Applied Physics > Alumni or Retired Professors > Group Ulrich Schwarz
Interdisciplinary Subject Network:Not selected
Keywords:Galliumnitrid, LED, optische Halbleiter, Fluktuationen
Dewey Decimal Classification:500 Science > 530 Physics
Status:Published
Refereed:Yes, this version has been refereed
Created at the University of Regensburg:Yes
Item ID:17872

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