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Fabian, Jaroslav ; Zutic, Igor

The Ebers–Moll model for magnetic bipolar transistors

Fabian, Jaroslav und Zutic, Igor (2005) The Ebers–Moll model for magnetic bipolar transistors. Applied Physics Letters 86, S. 133506.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:33
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.1818


Zusammenfassung

The equivalent electrical circuit of the Ebers-Moll-type is introduced for magnetic bipolar transistors. In addition to conventional diodes and current sources, the new circuit comprises two novel elements due to spin-charge coupling. A classification scheme of the operating modes of magnetic bipolar transistors in the low bias regime is presented. (C) 2005 American Institute Of Physics.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftApplied Physics Letters
Verlag:AMER INST PHYSICS
Ort der Veröffentlichung:MELVILLE
Band:86
Seitenbereich:S. 133506
DatumMärz 2005
InstitutionenPhysik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1063/1.1886251DOI
Stichwörter / KeywordsELECTRICAL SPIN INJECTION; SEMICONDUCTORS; SPINTRONICS;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-18183
Dokumenten-ID1818

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