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The Ebers–Moll model for magnetic bipolar transistors

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-18183
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.1818
Fabian, Jaroslav ; Zutic, Igor
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PDF - Veröffentlichte Version
(129kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:33



Zusammenfassung

The equivalent electrical circuit of the Ebers–Moll-type is introduced for magnetic bipolar transistors. In addition to conventional diodes and current sources, the new circuit comprises two novel elements due to spin-charge coupling. A classification scheme of the operating modes of magnetic bipolar transistors in the low bias regime is presented. ©2005 American Institute of Physics


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