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Magnetic Bipolar Transistor
Fabian, Jaroslav
, Zutic, Igor und Sarma, S. Das
(2004)
Magnetic Bipolar Transistor.
Applied Physics Letters 84 (1), S. 85.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:33
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.1825
Zusammenfassung
A magnetic bipolar transistor is a bipolar junction transistor with one or more magnetic regions, and/or with an externally injected nonequilibrium (source) spin. It is shown that electrical spin injection through the transistor is possible in the forward active regime. It is predicted that the current amplification of the transistor can be tuned by spin. ©2004 American Institute of Physics.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Verlag: | American Institute of Physics (AIP) | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 84 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1 | ||||
| Seitenbereich: | S. 85 | ||||
| Datum | Januar 2004 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-18253 | ||||
| Dokumenten-ID | 1825 |
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