Startseite UR

Spin injection through the depletion layer: A theory of spin-polarized p-n junctions and solar cells

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-18290

Zutic, Igor, Fabian, Jaroslav und Sarma, S. Das (2001) Spin injection through the depletion layer: A theory of spin-polarized p-n junctions and solar cells. Physical Review B 64 (12), 121201(R).

[img]
Vorschau
PDF - Veröffentlichte Version
Download (144kB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)

Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/abstract/PRB/v64/e121201


Zusammenfassung

A drift-diffusion model for spin-charge transport in spin-polarized p-n junctions is developed and solved numerically for a realistic set of material parameters based on GaAs. It is demonstrated that spin polarization can be injected through the depletion layer by both minority and majority carriers, making all semiconductor devices such as spin-polarized solar cells and bipolar transistors ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:September 2001
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.64.121201DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:1829
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner