Resonant inversion of circular photogalvanic effect in n-doped quantum wells,

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21688
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.2168

Ganichev, Sergey ; Belkov, Vassilij ; Schneider, Petra ; Ivchenko, Eougenious ; Tarasenko, Sergey ; Schuh, Dieter ; Wegscheider, Werner ; Weiss, Dieter ; Prettl, Wilhelm

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37

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We show that the sign of the circular photogalvanic effect can be changed by tuning the radiation frequency of circularly polarized light. Here resonant inversion of the photogalvanic effect has been observed for direct intersubband transition in n-type GaAs quantum well structures. This inversion of the photon helicity driven current is a direct consequence of the lifting of the spin degeneracy ...

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