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Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities

Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Merkulov, I., Perel, V., Yassievich, Irina und Malyshev, A. (2001) Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities. Physical Review B 63 (20), 201204(R).

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB_Rapid2001_negative_magnito_resistance.pdf


Zusammenfassung

A giant negative magnetoresistance has been observed in bulk germanium doped with multiply charged deep impurities. Applying a magnetic field the resistance may decrease exponentially at any orientation of the field. A drop of the resistance as much as about 10 000% has been measured at 6 T. The effect is attributed to the spin splitting of impurity ground state with a very large g factor in the order of several tens depending on impurity.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.63.201204DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:04 Jun 2018 13:59
Dokumenten-ID:2192
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