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Ganichev, Sergey ; Ketterl, Hermann ; Prettl, Wilhelm ; Merkulov, I. ; Perel, V. ; Yassievich, Irina ; Malyshev, A.

Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities

Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Merkulov, I., Perel, V., Yassievich, Irina und Malyshev, A. (2001) Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities. Physical Review B 63 (20), 201204(R).

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2192


Zusammenfassung

A giant negative magnetoresistance has been observed in bulk germanium doped with multiply charged deep impurities. Applying a magnetic field the resistance may decrease exponentially at any orientation of the field. A drop of the resistance as much as about 10 000% has been measured at 6 T. The effect is attributed to the spin splitting of impurity ground state with a very large g factor in the order of several tens depending on impurity.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:63
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:20
Seitenbereich:201204(R)
DatumMai 2001
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevB.63.201204DOI
Stichwörter / KeywordsACCEPTOR CENTER; GERMANIUM; LOCALIZATION; TRANSPORT; PHYSICS; GAP;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-21926
Dokumenten-ID2192

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