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Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21926

Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Merkulov, I., Perel, V., Yassievich, Irina und Malyshev, A. (2001) Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities. Physical Review B 63 (20), 201204(R).

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB_Rapid2001_negative_magnito_resistance.pdf


Zusammenfassung

A giant negative magnetoresistance has been observed in bulk germanium doped with multiply charged deep impurities. Applying a magnetic field the resistance may decrease exponentially at any orientation of the field. A drop of the resistance as much as about 10 000% has been measured at 6 T. The effect is attributed to the spin splitting of impurity ground state with a very large g factor in the order of several tens depending on impurity.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.63.201204DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2192
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