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Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities
Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Merkulov, I., Perel, V., Yassievich, Irina und Malyshev, A. (2001) Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities. Physical Review B 63 (20), 201204(R).Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2192
Zusammenfassung
A giant negative magnetoresistance has been observed in bulk germanium doped with multiply charged deep impurities. Applying a magnetic field the resistance may decrease exponentially at any orientation of the field. A drop of the resistance as much as about 10 000% has been measured at 6 T. The effect is attributed to the spin splitting of impurity ground state with a very large g factor in the order of several tens depending on impurity.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physical Review B | ||||
| Verlag: | AMER PHYSICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | COLLEGE PK | ||||
| Band: | 63 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 20 | ||||
| Seitenbereich: | 201204(R) | ||||
| Datum | Mai 2001 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | ACCEPTOR CENTER; GERMANIUM; LOCALIZATION; TRANSPORT; PHYSICS; GAP; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| URN der UB Regensburg | urn:nbn:de:bvb:355-epub-21926 | ||||
| Dokumenten-ID | 2192 |
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