URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21926
Ganichev, Sergey, Ketterl, Hermann, Prettl, Wilhelm, Merkulov, I., Perel, V., Yassievich, Irina und Malyshev, A. (2001) Giant negative magnetoresistance in semiconductors doped by multiply charged deep impurities. Physical Review B 63 (20), 201204(R).
| PDF Download (52kB) |
Zum Artikel beim Verlag (über DOI)
Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB_Rapid2001_negative_magnito_resistance.pdf
Zusammenfassung
A giant negative magnetoresistance has been observed in bulk germanium doped with multiply charged deep impurities. Applying a magnetic field the resistance may decrease exponentially at any orientation of the field. A drop of the resistance as much as about 10 000% has been measured at 6 T. The effect is attributed to the spin splitting of impurity ground state with a very large g factor in the order of several tens depending on impurity.
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | Mai 2001 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev | ||||
| Identifikationsnummer: |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||
| Eingebracht am: | 05 Okt 2007 | ||||
| Zuletzt geändert: | 04 Jun 2018 13:59 | ||||
| Dokumenten-ID: | 2192 |
Downloadstatistik
Downloadstatistik