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Belkov, Vassilij ; Hirschinger, J. ; Niedernostheide, F. ; Ganichev, Sergey ; Prettl, Wilhelm ; Novák, V.

Pattern Formation in Semiconductors

Belkov, Vassilij, Hirschinger, J., Niedernostheide, F., Ganichev, Sergey, Prettl, Wilhelm und Novák, V. (1999) Pattern Formation in Semiconductors. Nature (London) 397 (6718), S. 398.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2212


Zusammenfassung

In semiconductors, nonlinear generation and recombination processes of free carriers and nonlinear charge transport can give rise to non-equilibrium phase transitions. At low temperatures, the basic nonlinearity is due to the autocatalytic generation of free carriers by impact ionization of shallow impurities. The electric field accelerates free electrons, causing an abrupt increase in free ...

In semiconductors, nonlinear generation and recombination processes of free carriers and nonlinear charge transport can give rise to non-equilibrium phase transitions. At low temperatures, the basic nonlinearity is due to the autocatalytic generation of free carriers by impact ionization of shallow impurities. The electric field accelerates free electrons, causing an abrupt increase in free carrier density at a critical electric field. In static electric fields, this nonlinearity is known to yield complex filamentary current patterns bound to electric contacts.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftNature (London)
Band:397
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:6718
Seitenbereich:S. 398
Datum4 Februar 1999
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1038/17040DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-22122
Dokumenten-ID2212

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