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Review: Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22134

Ganichev, Sergey (1999) Review: Tunnel ionization of deep impurities in semiconductors induced by terahertz electric fields. Physica B 273-27, S. 737-742.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/physicaB1999_review_tunneling.pdf, http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleListURL&_method=list&_ArticleListID=675292105&_sort=d&view=c&_acct=C000032338&_version=1&_urlVersion=0&_userid=616165&md5=68a84f3efae8178d7de39c1e3de678fc


Zusammenfassung

An analysis is made of the ionization of deep impurity centers induced by high-intensity terahertz radiation whose photon energies are tens of times lower than the impurity ionization energy. Under these conditions, ionization can be described as phonon-assisted tunneling in which carrier emission is accompanied by defect tunneling in configuration space and electron tunneling in the electric ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:15 Dezember 1999
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0921-4526(99)00637-7DOI
Stichwörter / Keywords:Tunnel ionization; Terahertz; Far-infrared; Deep centers
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:17
Dokumenten-ID:2213
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