Effect of electron heating and radiation pressure on tunneling across Schottky barrier due to giant near field of FIR radiation

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-22149
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.2214

Shul'man, A. ; Ganichev, Sergey ; Dizhur, E. ; Kotel'nikov, I. ; Zepezauer, E. ; Prettl, Wilhelm

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37

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The conductance of tunnel junctions formed by n-GaAs and a semitransparent metal electrode on its surface was shown to be changed by normally incident radiation with frequency below the plasma edge of n-GaAs. A spatial redistribution of the electrons due to the radiation pressure and the corresponding change in the shape of the self-consistent Schottky barrier are observed as a photoconductivity ...

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