Near field enhancement of photoresistive effect in n-GaAs tunnel Schottky junctions

Shul'man, A. ; Kotel'nikov, I. ; Ganichev, Sergey ; Dizhur, E. ; Ormont, A. ; Zepezauer, E. ; Prettl, Wilhelm

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38

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Details

Dokumentenart:	Buchkapitel
ISBN:	981-02-4030-9
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift:	Proc. of 24th Int. Conf. on Physics Semiconductors, ed. by D. Gershoni, CD-ROM
Buchtitel:	24th International Conference on the Physics of Semiconductors: Jerusalem, Israel, August 2 - 7, 1998
Verlag:	World Scientific
Ort der Veröffentlichung:	Singapore
Seitenbereich:	Th-P58
Datum:	1999
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	2222

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