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Ganichev, Sergey ; Ziemann, E. ; Gleim, T. ; Prettl, Wilhelm ; Yassievich, Irina ; Perel, V. ; Wilke, I. ; Haller, E.

Carrier tunneling in high-frequency electric fields

Ganichev, Sergey, Ziemann, E., Gleim, T., Prettl, Wilhelm, Yassievich, Irina, Perel, V., Wilke, I. und Haller, E. (1998) Carrier tunneling in high-frequency electric fields. Physical Review Letters 80 (11), S. 2409-2412.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.2224


Zusammenfassung

An enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in an alternating field as compared to static fields has been observed. The transition between the quasistatic and the high-frequency regime is determined by the tunneling time. For the case of deep impurities this is the time of redistribution of the defect vibrational system which depends strongly on temperature and the ...

An enhancement of tunnel ionization of deep impurities in semiconductors in an alternating field as compared to static fields has been observed. The transition between the quasistatic and the high-frequency regime is determined by the tunneling time. For the case of deep impurities this is the time of redistribution of the defect vibrational system which depends strongly on temperature and the impurity structure. A theory of tunnel ionization of deep impurities by high-frequency fields has been developed.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review Letters
Band:80
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:11
Seitenbereich:S. 2409-2412
Datum16 März 1998
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.80.2409DOI
Klassifikation
NotationArt
71.55.-iPACS
72.20.HtPACS
72.40.+wPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-22248
Dokumenten-ID2224

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