Photoresistive effect in in delta-doped GaAs/metal tunnel junctions

Kotel'nikov, I. ; Shul'man, A. ; Varvanin, N. ; Ganichev, Sergey ; Mayerhofer, B. ; Prettl, Wilhelm

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:38

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Details

Dokumentenart:	Artikel
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift:	JETP Letters
Verlag:	MAIK Nauka/Interperiodica distributed exclusively by Springer
Band:	62
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:	1
Seitenbereich:	S. 53-58
Datum:	Juli 1995
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	2240

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