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Ion-beam mixing in crystalline and amorphous germanium isotope multilayers

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-229240

Bracht, H., Radek, M., Kube, R., Knebel, S., Posselt, M., Schmidt, B., Haller, E. E. und Bougeard, Dominique (2011) Ion-beam mixing in crystalline and amorphous germanium isotope multilayers. J. Appl. Phys. 110 (9), 093502.

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Zusammenfassung

Gallium (Ga) implantation induced self-atom mixing in crystalline and amorphous germanium (Ge) is investigated utilizing isotopically controlled Ge multilayer structures grown by molecular beam epitaxy. The distribution of the Ga ions and the ion-beam induced depth-dependent mixing of the isotope structure was determined by means of secondary ion mass spectrometry. Whereas the distribution of Ga ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3658259DOI
Klassifikation:
NotationArt
61.72.ufPACS
66.30.J-PACS
61.80.JhPACS
81.05.CyPACS
81.05.GcPACS
82.80.MsPACS
Stichwörter / Keywords:amorphous semiconductors; diffusion; elemental semiconductors; gallium; germanium; ion beam mixing; ion implantation; isotopes; mixing; molecular beam epitaxial growth; multilayers; secondary ion mass spectra; semiconductor doping; semiconductor epitaxial layers; silicon
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:12 Dez 2011 08:44
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:31
Dokumenten-ID:22924
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