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Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells

Ganichev, Sergey (2005) Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells. In: 2005 American Physical Society March Meeting (invited), 21. –25. März 2005, Los Angeles, Ca.

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Zusammenfassung

The electron spin in a homogeneous spin-polarized two- dimensional electron gas can drive an electric current if some general symmetry requirements are met (for review see [1]). The microscopic origin of the spin- galvanic effect is the inherent asymmetry of spin-flip scattering of electrons in systems with removed $k$-space spin degeneracy of the band structure. The spin-galvanic effect is quite ...

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Anderer)
Datum:2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:18
Dokumenten-ID:2341
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