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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-243252
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.24325
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Zusammenfassung
We fabricated carbondopedInAs/InxGa1−xAs/InxAl1−xAsheterostructures, which show p-type and n-type conductivity for different In contents. Two-dimensional hole gas in a structure with x=0.75 has been prepared in the ternary compound, despite the fact that carbon as an n-type dopant in InAs exhibits electron conductivity in InxGa1−xAs and InxAl1−xAs compounds with high indium content. A special ...
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