Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen
Hirschinger, J., Schowalter, Dieter, Belkov, Vassilij, Novak, V., Niedernostheide, F.-J., Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1999) Stoßionisationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen. In: Fruehjahrstagung der Deutschen-Physikalischen-Gesellschaft, 1999, Münster.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag) |
| Seitenbereich: | S. 698 |
|---|---|
| Datum | 1999 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2439 |
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