To the question of impact ionization in p-type InSb
Ganichev, Sergey, Dmitriev, A., Emel'yanov, S., Terent'ev, Y., Yaroshetskii, I. und Yassievich, I. (1986) To the question of impact ionization in p-type InSb. In: 6th Soviet Conference on Plasma and Current Instabilities in Semiconductors, 1986, Vilnus, USSR.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:39
Konferenz- oder Workshop-Beitrag
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Nicht ausgewählt) |
| Seitenbereich: | S. 225 |
|---|---|
| Datum | 1986 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2513 |
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