Single dislocation induced strain in GaN
Gmeinwieser, N., Gottfriedsen, P., Schwarz, Uli, Wegscheider, Werner, Clos, R., Krtschil, A., Krost, A., Weimar, A., Brüderl, G., Lell, A. und Härle, V. (2005) Single dislocation induced strain in GaN. Journal of Appli ed Physics 98, S. 116102.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:40
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Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Appli ed Physics |
| Band: | 98 |
|---|---|
| Seitenbereich: | S. 116102 |
| Datum | 2005 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2588 |
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