Strain and dislocation reduction in maskless pendeo-epitaxy GaN thin films
Roskowsky, A., Miraglia, P., Preble, E., Einfeldt, S., Stiles, T., Davis, R., Schuck, J., Grober, R. und Schwarz, Uli (2001) Strain and dislocation reduction in maskless pendeo-epitaxy GaN thin films. phys. stat. sol. (a) 188, S. 729.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:40
Artikel
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel |
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | phys. stat. sol. (a) |
| Band: | 188 |
|---|---|
| Seitenbereich: | S. 729 |
| Datum | 2001 |
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz |
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik |
| Status | Veröffentlicht |
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet |
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja |
| Dokumenten-ID | 2613 |
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