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Gareev, R. R. ; Schmid, M. ; Vancea, Johann ; Back, C. H. ; Schreiber, Rainer ; Bürgler, D. ; Schneider, C. M. ; Stromberg, F. ; Wende, Heiko

Antiferromagnetic coupling across silicon regulated by tunneling currents

Gareev, R. R., Schmid, M., Vancea, Johann, Back, C. H. , Schreiber, Rainer, Bürgler, D. , Schneider, C. M. , Stromberg, F. und Wende, Heiko (2012) Antiferromagnetic coupling across silicon regulated by tunneling currents. Applied Physics Letters.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 23 Okt 2012 06:32
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.26507


Zusammenfassung

We report on the enhancement of antiferromagnetic coupling in epitaxial Fe/Si/Fe structures by voltage-driven spin-polarized tunneling currents. Using the ballistic electron magnetic microscopy, we established that the hot-electron collector current reflects magnetization alignment and the magnetocurrent exceeds 200% at room temperature. The saturation magnetic field for the collector current ...

We report on the enhancement of antiferromagnetic coupling in epitaxial Fe/Si/Fe structures by voltage-driven spin-polarized tunneling currents. Using the ballistic electron magnetic microscopy, we established that the hot-electron collector current reflects magnetization alignment and the magnetocurrent exceeds 200% at room temperature. The saturation magnetic field for the collector current corresponding to the parallel alignment of magnetizations rises up with the tunneling current, thus demonstrating stabilization of the antiparallel alignment and increasing antiferromagnetic coupling. We connect the enhancement of antiferromagnetic coupling with local dynamic spin torques mediated by spin-polarized tunneling electrons. (C) 2012 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3675872]



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftApplied Physics Letters
Verlag:AMER INST PHYSICS
Ort der Veröffentlichung:MELVILLE
Datum10 Januar 2012
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1063/1.3675872DOI
Klassifikation
NotationArt
73.40.NsPACS
75.50.EePACS
75.60.EjPACS
72.20.HtPACS
72.20.MyPACS
72.25.-bPACS
Stichwörter / KeywordsLAYERED MAGNETIC-STRUCTURES; INTERLAYER EXCHANGE; MAGNETORESISTANCE; JUNCTIONS; TORQUE; BARRIER; DRIVEN;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-265071
Dokumenten-ID26507

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