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Clustering in a precipitate-free GeMn magnetic semiconductor

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277606

Bougeard, Dominique, Ahlers, S., Trampert, A., Sircar, N. und Abstreiter, G. (2006) Clustering in a precipitate-free GeMn magnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 97, S. 237202.

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Zusammenfassung

We present the first study relating structural parameters of precipitate-free Ge0.95Mn0.05 films to magnetization data. Nanometer-sized clusters--areas with increased Mn content on substitutional lattice sites compared to the host matrix--are detected in transmission electron microscopy analysis. The films show no overall spontaneous magnetization at all down to 2 K. The TEM and magnetization ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
17280238PubMed-ID
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:27 Feb 2013 13:58
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27760
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