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Bougeard, Dominique ; Ahlers, S. ; Trampert, A. ; Sircar, N. ; Abstreiter, G.

Clustering in a precipitate-free GeMn magnetic semiconductor

Bougeard, Dominique, Ahlers, S., Trampert, A., Sircar, N. und Abstreiter, G. (2006) Clustering in a precipitate-free GeMn magnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 97, S. 237202.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 27 Feb 2013 13:58
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.27760


Zusammenfassung

We present the first study relating structural parameters of precipitate-free Ge0.95Mn0.05 films to magnetization data. Nanometer-sized clusters--areas with increased Mn content on substitutional lattice sites compared to the host matrix--are detected in transmission electron microscopy analysis. The films show no overall spontaneous magnetization at all down to 2 K. The TEM and magnetization ...

We present the first study relating structural parameters of precipitate-free Ge0.95Mn0.05 films to magnetization data. Nanometer-sized clusters--areas with increased Mn content on substitutional lattice sites compared to the host matrix--are detected in transmission electron microscopy analysis. The films show no overall spontaneous magnetization at all down to 2 K. The TEM and magnetization results are interpreted in terms of an assembly of superparamagnetic moments developing in the dense distribution of clusters. Each cluster individually turns ferromagnetic below an ordering temperature which depends on its volume and Mn content.



Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhys. Rev. Lett.
Verlag:American Physical Society (APS)
Band:97
Seitenbereich:S. 237202
Datum2006
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer
WertTyp
17280238PubMed-ID
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenUnbekannt / Keine Angabe
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-277606
Dokumenten-ID27760

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