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Electrostatically defined quantum dots in a Si/SiGe heterostructure

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277675

Wild, A., Sailer, J., Nützel, J., Abstreiter, G., Ludwig, S. und Bougeard, Dominique (2010) Electrostatically defined quantum dots in a Si/SiGe heterostructure. New J. Phys. 12, S. 113019.

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Zusammenfassung

We present an electrostatically defined few-electron double quantum dot (QD) realized in a molecular beam epitaxially grown Si/SiGe heterostructure. Transport and charge spectroscopy with an additional QD as well as pulsed-gate measurements are demonstrated. We discuss technological challenges specific to silicon-based heterostructures and the effect of a comparably large effective electron mass ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/12/11DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:27 Feb 2013 14:03
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:27767
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