URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-277675
Wild, A., Sailer, J., Nützel, J., Abstreiter, G., Ludwig, S. und Bougeard, Dominique (2010) Electrostatically defined quantum dots in a Si/SiGe heterostructure. New J. Phys. 12, S. 113019.
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Zusammenfassung
We present an electrostatically defined few-electron double quantum dot (QD) realized in a molecular beam epitaxially grown Si/SiGe heterostructure. Transport and charge spectroscopy with an additional QD as well as pulsed-gate measurements are demonstrated. We discuss technological challenges specific to silicon-based heterostructures and the effect of a comparably large effective electron mass ...
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| Dokumentenart: | Artikel | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 2010 | ||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer: |
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| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Zum Teil | ||||
| Eingebracht am: | 27 Feb 2013 14:03 | ||||
| Zuletzt geändert: | 02 Jun 2018 17:55 | ||||
| Dokumenten-ID: | 27767 |
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