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Intraband photoresponse of SiGe quantum dot/quantum well multilayers

Bougeard, Dominique, Brunner, K. und Abstreiter, Gerhard (2003) Intraband photoresponse of SiGe quantum dot/quantum well multilayers. Physica E 16, S. 609.

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Zusammenfassung

In this contribution we study the intravalence band photoexcitation of holes from self-assembled Ge quantum dots (QDs) in Si followed by spatial carrier transfer into SiGe quantum well (QW) channels located close to the Ge dot layers. The structures show maximum response in the important wavelength range 3-5 mum. The influence of the SiGe hole channel on photo- and dark current is studied ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2003
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):Spring Meeting of the European-Materials-Research-Society (E-MRS), STRASBOURG, FRANCE, JUN 18-21, 2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S1386-9477(02)00640-9DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:05 Mrz 2013 07:20
Zuletzt geändert:05 Mrz 2013 07:20
Dokumenten-ID:27794
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