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Spin and orbital mechanisms of the magnetogyrotropic photogalvanic effects in GaAs/AlxGa1-xAs quantum well structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-279447
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.27944
Lechner, V. ; Golub, Leonid E. ; Lomakina, F. ; Bel'kov, V. V. ; Olbrich, P. ; Stachel, S. ; Caspers, I. ; Griesbeck, M. ; Kugler, M. ; Hirmer, M. J. ; Korn, T. ; Schüller, C. ; Schuh, D. ; Wegscheider, W. ; Ganichev, Sergey
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2013 11:19



Zusammenfassung

We report on the study of the linear and circular magnetogyrotropic photogalvanic effect (MPGE) in GaAs/AlGaAs quantum well structures. Using the fact that in such structures the Landé factor g* depends on the quantum well (QW) width and has different signs for narrow and wide QWs, we succeeded to separate spin and orbital contributions to both MPGEs. Our experiments show that, for most QW ...

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