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Dual threshold diode based on the superconductor-to-insulator transition in ultrathin TiN filmss

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-280775

Baturina, Tatyana, Kalok, David, Bilusic, Ante, Vinokur, Valerii M., Baklanov, Mikhail R., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. und Strunk, Christoph (2013) Dual threshold diode based on the superconductor-to-insulator transition in ultrathin TiN filmss. Applied Physics Letters 102, 042601.

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Zusammenfassung

We investigate transport properties of superconducting TiN films in the vicinity of the superconductor-insulator transition (SIT). We show that the current-voltage (I-V) characteristics are mirror-symmetric with respect to the SIT and can be switched to each other by the applied magnetic field. In both superconducting and insulating states, the low-temperature I-V characteristics have pronounced ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Christoph Strunk
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4789510DOI
Stichwörter / Keywords:critical currents, diodes, superconducting junction devices, superconducting thin films, superconducting transitions, titanium compounds
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:23 Apr 2013 13:08
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:28077
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