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Dual threshold diode based on the superconductor-to-insulator transition in ultrathin TiN filmss

Baturina, Tatyana, Kalok, David, Bilusic, Ante, Vinokur, Valerii M., Baklanov, Mikhail R., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. und Strunk, Christoph (2013) Dual threshold diode based on the superconductor-to-insulator transition in ultrathin TiN filmss. Applied Physics Letters 102, 042601.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 23 Apr 2013 13:08

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Zusammenfassung

We investigate transport properties of superconducting TiN films in the vicinity of the superconductor-insulator transition (SIT). We show that the current-voltage (I-V) characteristics are mirror-symmetric with respect to the SIT and can be switched to each other by the applied magnetic field. In both superconducting and insulating states, the low-temperature I-V characteristics have pronounced ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2013
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Christoph Strunk
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.4789510DOI
Stichwörter / Keywords:critical currents, diodes, superconducting junction devices, superconducting thin films, superconducting transitions, titanium compounds
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Dokumenten-ID:28077
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