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Spin-Hall transport of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-282354

Schliemann, John und Loss, Daniel (2005) Spin-Hall transport of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells. Phys. Rev. B 71, 085308.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.71.085308, http://prb.aps.org/pdf/PRB/v71/i8/e085308


Zusammenfassung

We investigate spin transport of heavy holes in III-V semiconductor quantum wells in the presence of spin-orbit coupling of the Rashba type due to structure-inversion asymmetry. Similarly to the case of electrons, the longitudinal spin conductivity vanishes, whereas the off-diagonal elements of the spin-conductivity tensor are finite giving rise to an intrinsic spin-Hall effect. For a clean ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:9 Februar 2005
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann
Projekte:NCCR, EU-Spintronics
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.71.085308DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Nein
Eingebracht am:22 Mai 2013 13:56
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:28235
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