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Theory of spin relaxation in laterally coupled quantum dots

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-286322

Raith, Martin (2013) Theory of spin relaxation in laterally coupled quantum dots. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 35, Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

This work gives a comprehensive quantitative analysis of the relaxation of electron spins confined in top-gated, laterally coupled semiconductor quantum dots. We choose the two most prominent host materials for the dot implementation, gallium arsenide and silicon, and compare the characteristics of both semiconductors to each other. The quantum dot that we consider is loaded with either a single ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Die vorliegende Dissertation behandelt in umfassender Weise die Spinrelaxation von lokalisierten Elektronen lateral gekoppelter Halbleiterquantenpukte. Für die quantitativen Aussagen werden die beiden wichtigsten Materialien der Quantenpunktforschung, Galliumarsenid und Silizium, herangezogen und verglichen. Es werden sowohl der Spin eines einzelnen Elektrons als auch die Singulett- und ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Schriftenreihe der Universität Regensburg:Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Datum:13 September 2013
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Jaroslav Fabian und Prof. Dr. John Schliemann
Tag der Prüfung:23 Juli 2013
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Stichwörter / Keywords:quantum dots, spin relaxation, gaas, silicon
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:13 Sep 2013 14:45
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:36
Dokumenten-ID:28632
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