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Weak localization and Raman study of anisotropically etched graphene antidots

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-288885
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.28888
Oberhuber, Florian ; Blien, Stefan ; Heydrich, Stefanie ; Yaghobian, Fatemeh ; Korn, Tobias ; Schueller, Christian ; Strunk, Christoph ; Weiss, Dieter ; Eroms, Jonathan
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 07 Okt 2013 11:11



Zusammenfassung

We study a crystallographic etching process of graphene nanostructures, where zigzag edges can be prepared selectively. The process involves heating exfoliated single-layer graphene samples with a predefined pattern of antidot arrays in an argon atmosphere at 820 degrees C, which selectively removes carbon atoms located on armchair sites. Atomic force microscopy and scanning electron microscopy ...

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