Giant enhancement of spin detection sensitivity in (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diodes

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-296017
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.29601

Shiogai, Junichi ; Ciorga, Mariusz ; Utz, Martin ; Schuh, Dieter ; Kohda, Makoto ; Bougeard, Dominique ; Nojima, Tsutomu ; Nitta, Junsaku ; Weiss, Dieter

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Mrz 2014 14:34

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We investigate the correlation between spin signals measured in three-terminal (3T) geometry by the Hanle effect and the spin accumulation generated in a semiconductor channel in a lateral (Ga,Mn)As/GaAs Esaki diode device. We systematically compare measurements using a 3T configuration, probing spin accumulation directly beneath the injecting contact, with results from nonlocal measurements, ...

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