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Using Topological Insulator Proximity to Generate Perfectly Conducting Channels in Materials without Topologie Protection

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-296061
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.29606
Essert, Sven ; Krueckl, Viktor ; Richter, Klaus
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Lizenz: Creative Commons Namensnennung 3.0 de
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PDF - Entwurfsversion
arXiv PDF (05.02.2014)
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 20 Mrz 2014 10:19




Zusammenfassung

We show that hybrid structures of topological insulators and materials without topological protection can be employed to create perfectly conducting channels hosted in the non-topological part. These states inherit the topological protection from the proximity of the topological insulator but are more fragile to time-reversal symmetry breaking because of their extended character. We explore their ...

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