Magneto-photoluminescence of InAs/InGaAs/InAlAs Quantum well structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-296203
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.29620

Terent'ev, Ya. V. ; Danilov, S. N. ; Loher, Josef ; Schuh, Dieter ; Bougeard, Dominique ; Weiss, Dieter

; Durnev, M. V. ; Tarasenko, S. A. ; Mukhin, M. S. ; Ivanov, S. V. ; Ganichev, S. D.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 21 Mrz 2014 07:02

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Photoluminescence (PL) and highly circularly polarized magneto-PL (up to 50% at 6 T) from two-step bandgap InAs/InGaAs/InAlAs quantum wells (QWs) are studied. Bright PL is observed up to room temperature, indicating a high quantum efficiency of the radiative recombination in these QWs. The sign of the circular polarization indicates that it stems from the spin polarization of heavy holes caused ...

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