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Cross-sectional scanning probe microscopy on GaAs: Tip-induced band bending, buried acceptors and adsorbed molecules

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-301077

Münnich, Gerhard (2014) Cross-sectional scanning probe microscopy on GaAs: Tip-induced band bending, buried acceptors and adsorbed molecules. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

This thesis presents low temperature scanning probe experiments performed in the cross-sectional geometry (X-SPM) on GaAs samples. In particular, three topics have been addressed. First, the GaAs(110) surface has been utilized as a substrate to adsorb iron-II-phthalocyanine molecules. The molecules were probed from scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) and were found to be ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Dissertation wurden GaAs-Spaltflächen mittels Tieftemperatur-Rastersondenmikroskopie untersucht. Drei Themengebiete wurden bearbeitet. Erstens wurde die GaAs(110) Oberfläche als Substrat für adsorbierte Eisen-II-Phthalocyanin Moleküle verwendet. Die Moleküle wurden mittels Rastertunnelmikroskopie (STM) und Spektroskopie (STS) untersucht. Der Einfluss des Substrates auf die Moleküle ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:30 Juni 2014
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Jascha Repp
Tag der Prüfung:18 Juni 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Giessibl > Arbeitsgruppe Jascha Repp
Stichwörter / Keywords:cross-sectional scanning probe microscopy, scanning tunneling microscopy, atomic force microscopy, Kelvin probe force spectroscopy, tip-induced band bending, III-V semiconductor, GaAs, acceptor, iron-II-phthalocyanine molecule, gating
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:30 Jun 2014 14:33
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:37
Dokumenten-ID:30107
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