Startseite UR

Transport Properties of a 3D Topological Insulator based on a Strained High-Mobility HgTe Film

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-309260

Kozlov, D. A., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. und Weiss, Dieter (2014) Transport Properties of a 3D Topological Insulator based on a Strained High-Mobility HgTe Film. Physical Review Letters (PRL) 112 (196801), S. 1-5.

[img]
Vorschau
PDF
Download (548kB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

We investigate the magnetotransport properties of strained 80 nm thick HgTe layers featuring a high mobility of μ∼4×105  cm2/V⋅s. By means of a top gate, the Fermi energy is tuned from the valence band through the Dirac-type surface states into the conduction band. Magnetotransport measurements allow us to disentangle the different contributions of conduction band electrons, holes, and Dirac ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:14 Mai 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.112.196801DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.25.+iPACS
05.60.GgPACS
73.20.AtPACS
73.43.-fPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:04 Nov 2014 08:14
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:30926
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner