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Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-312808

Schmalzbauer, Michael (2015) Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices. Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg 45, Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

2D-confined carrier systems have given access to the exploration of manifold quantum effects in fundamental research and also led to numerous device concepts for commercial electronic applications. Additionally, the possibility to control the 2D carrier density via gate voltages through the electric field-effect offers a great advantage of external manipulation of the system. With the ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

Zweidimensional (2D) eingeschlossene Ladungsträgersysteme haben in der Grundlagenforschung einen Zugang für die Erforschung von vielfältigen Quanten-Effekten geschaffen und zudem zu zahlreichen Bauteilkonzepten für kommerzielle elektronische Anwendungen geführt. Zusätzlich bietet die Möglichkeit die zweidimensionale Ladungsträgerdichte mit Hilfe von Gatterspannungen über den Feldeffekt zu ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Schriftenreihe der Universität Regensburg:Dissertationsreihe der Fakultät für Physik der Universität Regensburg
Datum:29 April 2015
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dominique Bougeard und Prof. Dr. Dieter Weiss und Prof. Dr. Milena Grifoni und Prof. Dr. Karsten Rincke
Tag der Prüfung:30 Januar 2015
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Stichwörter / Keywords:Si/SiGe, field-effect, polarizability of neutral donors, dielectric constants of Si and Ge, MBE, leakage currents, disorder, charge reconfigurations, magnetotransport
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:29 Apr 2015 11:38
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31280
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