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Heterostructure design of Si/SiGe two-dimensional electron systems for field-effect devices

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-312808
Schmalzbauer, Michael
Date of publication of this fulltext: 29 Apr 2015 11:38


Abstract (English)

2D-confined carrier systems have given access to the exploration of manifold quantum effects in fundamental research and also led to numerous device concepts for commercial electronic applications. Additionally, the possibility to control the 2D carrier density via gate voltages through the electric field-effect offers a great advantage of external manipulation of the system. With the ...

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Translation of the abstract (German)

Zweidimensional (2D) eingeschlossene Ladungsträgersysteme haben in der Grundlagenforschung einen Zugang für die Erforschung von vielfältigen Quanten-Effekten geschaffen und zudem zu zahlreichen Bauteilkonzepten für kommerzielle elektronische Anwendungen geführt. Zusätzlich bietet die Möglichkeit die zweidimensionale Ladungsträgerdichte mit Hilfe von Gatterspannungen über den Feldeffekt zu ...

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