Ganichev, Sergey ; Tarasenko, Sergey ; Karch, Johannes ; Kamann, Josef ; Kvon, Z. D.

Data archive of J. Phys.: Condens. Matter 26, 255802

Ganichev, Sergey, Tarasenko, Sergey, Karch, Johannes, Kamann, Josef und Kvon, Z. D. (2015) Data archive of J. Phys.: Condens. Matter 26, 255802. [Datensatz]

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 11 Sep 2015 11:21
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DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.31495

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Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
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Ganichev, Sergey, Tarasenko, Sergey, Karch, Johannes, Kamann, Josef und Kvon, Z. D. (2014) Magnetic quantum ratchet effect in Si-MOSFETs. Journal of Physics: Condensed Matter 26 (25), S. 255802.
- Ganichev, Sergey, Tarasenko, Sergey, Karch, Johannes, Kamann, Josef und Kvon, Z. D. (2015) Data archive of J. Phys.: Condens. Matter 26, 255802. [Datensatz] [Gegenwärtig angezeigt]

Details

Dokumentenart	Datensatz
Datum	20 März 2015
Institutionen	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status	Unveröffentlicht
Begutachtet	Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden	Ja
Dokumenten-ID	31495

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