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Magnetic quantum ratchet effect in Si-MOSFETs

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-314948

Ganichev, Sergey, Tarasenko, Sergey, Karch, Johannes, Kamann, Josef und Kvon, Z. D. (2014) Magnetic quantum ratchet effect in Si-MOSFETs. Journal of Physics: Condensed Matter 26 (25), S. 255802.

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Zusammenfassung

We report on the observation of magnetic quantum ratchet effect in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors on silicon surface (Si-MOSFETs). We show that the excitation of an unbiased transistor by ac electric field of terahertz radiation at normal incidence leads to a direct electric current between the source and drain contacts if the transistor is subjected to an in-plane magnetic ...

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    Ganichev, Sergey, Tarasenko, Sergey, Karch, Johannes, Kamann, Josef und Kvon, Z. D. (2014) Magnetic quantum ratchet effect in Si-MOSFETs. Journal of Physics: Condensed Matter 26 (25), S. 255802. [Gegenwärtig angezeigt]

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Dokumentenart:Artikel
Datum:3 Juni 2014
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0953-8984/26/25/255802DOI
Klassifikation:
NotationArt
85.30.TvPACS
73.40.QvPACS
78.40.FyPACS
Stichwörter / Keywords:Condensed matter: electrical, magnetic and optical; Electronics and devices; Semiconductors; Surfaces, interfaces and thin films
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2015 08:27
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:38
Dokumenten-ID:31494
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